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Audet, Yves
Polytechnique Montréal
Membre associé

Description du programme de recherche

Les capteurs d’images CMOS

Ce programme de recherche adresse la problématique de conception et de fabrication de capteurs d'images CMOS de grande surface, qui permettrait d’obtenir une caméra numérique de résolution spatiale comparable à celle d'une caméra conventionnelle avec pellicules chimiques photo-sensibles. On vise un capteur ayant une matrice de pixel de 36 x 24 mm de surface pour atteindre la compatibilité avec la gamme des lentilles développées pour la photographie SLR 35 mm. Outre la réalisation d’un capteur d’images de grande surface, les techniques de conception de pixels redondants avec autocorrection sont aussi utiles à la réalisation de capteurs d’images employés dans des environnements hostiles comme l’espace, les mines, les réacteurs nucléaires, …etc., bref partout où une caméra peut-être exposée à des radiations, des températures et pressions extrêmes pouvant endommager le capteur. Ainsi, les propriétés d’autocorrection de l’architecture redondante permettront à la caméra de transmettre des images plus longtemps à partir de ces milieux hostiles, où le remplacement et la réparation sont difficiles, voire impossibles.

Les détecteurs photoniques

Ici on s’intéresse au développement de techniques de propagation de signaux par modulation photonique, tant sur un même circuit intégré qu'entre puces d'un même système, de façon à éliminer les interconnections métalliques critiques qui limitent la performance des systèmes. Des taux de propagations supérieurs à 1 Gb/s sont visés. Bien que la recherche sur les interconnections photoniques ait favorisé jusqu'à maintenant les dispositifs III-V pour la conversion de signaux électriques à signaux photoniques, la diminution constante de la taille des structures fabriquées sur technologie CMOS pourrait avantager les dispositifs photoniques au silicium notamment au niveau des photo-détecteurs. Cette diminution de la taille des structures entraînent une réduction des capacités parasites des composants actifs de sorte qu'un faisceau lumineux de moindre énergie est requis pour activer un photo-détecteur au silicium et une réponse plus rapide peut être obtenue. Les avantages des photo-détecteurs au silicium pouvant être intégrés à même une puce VLSI sont considérables, même si les performances sont moindres que les photo-détecteurs en technologie III-V. Citons entre autre la simplicité du procédé de fabrication comparée aux technologies hybrides comportant des détecteurs III-V collés à un circuit VLSI CMOS, et l'élimination des circuits liés à l'intégrité des signaux d'horloge en amplitude et en phase, tels que les répéteurs et les circuits de verrouillage de phase (PLL).

Cours offerts

ELE8300 - Électronique analogique (3 cr.)

Collaboration au sein du ReSMiQ

Boland, Jean-François - École de technologie supérieure
Savaria, Yvon - Polytechnique Montréal
Sawan, Mohamad - Polytechnique Montréal
Thibeault, Claude - École de technologie supérieure

Collaboration hors ReSMiQ

Deen, M.- McMaster University
Chapman, Glenn H.-Fraser University

Coordonnées:

Polytechnique Montréal
Département de génie électrique
C.P. 6079, Succ. Centre-ville, bureau M-5113
Montréal ( Québec) H3C 3A7
Canada
Téléphone: (514) 340-4711 poste 4270
Télécopieur: (514) 343-4147
Adresse de courrier électronique: audet@vlsi.polymtl.ca